PKIV6100（1GHz）光隔离探头在 GaN 器件超高速开关特性测试中的应用

GaN 氮化镓器件具备超高速开关、低导通电阻、高频工作能力，开关边沿可达亚纳秒级，常规探头带宽不足、寄生参数大，无法还原真实波形，导致损耗计算错误、驱动设计偏差。PKIV6100 光隔离探头提供 1GHz 超高带宽、≤450ps 上升时间、高共模抑制与全电气隔离，是 GaN 器件超高速特性测试的理想选择。

在 GaN HEMT 器件高频测试中，PKIV6100 可精准捕捉栅极驱动信号、漏源电压瞬态与开关损耗。1GHz 带宽完整保留超高频振荡与边沿信息，真实反映器件开关速度与振荡特性，避免波形失真导致的设计失误。光纤光电隔离实现测试系统与被测高压回路完全电气隔离，85kVpk 共模耐压满足高压浮地测试，杜绝高压击穿与干扰串扰。

某科研机构使用 PKIV6100 开展 GaN 器件高频拓扑研究，在 MHz 级开关频率下，稳定测量关断尖峰、导通延时、高频振荡等关键参数，为栅极驱动设计、PCB 布局优化、吸收电路选型提供准确数据。探头底噪低、增益精度高，支持自动校准，保证长期测试一致性；多种衰减器覆盖不同电压量程，适配低压小信号与高压大信号测试。

PKIV6100 以超高带宽、超低噪声、超高隔离的硬核性能，支撑 GaN 器件在高频电源、激光驱动、航空航天、通信电源等前沿领域的研发与验证，解决超高速高压测试的行业痛点。

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审核编辑 黄宇