隔离

GaN 氮化镓器件具备超高速开关、低导通电阻、高频工作能力，开关边沿可达亚纳秒级，常规探头带宽不足、寄生参数大，无法还原真实波形，导致损耗计算错误、驱动设计偏差。PKIV6100 光隔离探头提供 1GHz 超高带宽、≤450ps 上升时间、高共模抑制与全电气隔离，是 GaN 器件超高速特性测试的理想选择。 在 GaN HEMT 器件高频测试中，PKIV6100 可精准捕捉栅极驱动信号、漏源电压瞬态与开关损耗。1GHz 带宽完整保留超高频振荡与边沿信息，真实反映器件开关速...