上海贝岭第七代IGBT技术优势解析

上海贝岭第七代IGBT技术优势解析

随着新能源汽车产业的蓬勃发展，市场对高效率、高功率快充基础设施的需求日益增强。充电桩核心部件——电源模块，正面临能量转换效率、小型化集成与散热性能等方面的严峻挑战，这也驱动着相关技术的持续迭代与创新升级。

从输入输出类型来看，电源模块主要包括AC-DC（交流转直流）与DC-DC（直流转直流）两大类。 在AC-DC功率整流端，以上海贝岭第七代沟槽场截止（T-FS）IGBT——BLG80T65FDK7-F为例，其凭借优异的开关特性和低导通压降（VCE(sat)），在提升系统充电效率、降低损耗方面表现突出。

图1 BLG80T65FDK7-F产品外观图

产品型号：BLG80T65FDK7-F

主要参数：VCES为650V

IC为80A

VCE(sat).typ为1.6V

工艺类型：第七代沟槽场截止（T-FS）

封装信息：TO247

应用领域：充电桩电源模块、光伏逆变、储能

产品特点：

1.开关性能优化，支持高开关频率，具备低栅极电荷（Qg）与低开关损耗；

2.低饱和压降VCE(sat)，有效降低导通损耗；

3.漏电流小，有助于提升系统能效与运行稳定性。

产品特点

低开关损耗优势明显

图2 IGBT开关损耗实测对比

如图2所示，在25 ℃和 175 ℃条件下，我司 BLG80T65FDK7 产品 Eon 、 Eoff 、Ets均优于竞品 H5系列。

低饱和压降VCE(sat)，有效降低导通损耗

图3 IGBT饱和压降VCE(sat)实测对比

如图3所示，在25 ℃和 175 ℃条件下，我司 BLG80T65FDK7 的 VCE(sat) 均优于竞品 H5系列。

低漏电流Ices，高温表现更稳

图4 IGBT漏电流Ices实测对比

如图4所示，在常温25℃条件下，我司BLG80T65FDK7的BV曲线与竞品一致；在高温175℃条件下，其漏电流远低于竞品。

值得一提的是，上海贝岭可为客户提供一站式功率器件选型支持，依托先进工艺平台，推出涵盖650V IGBT、1200V SiC MOSFET、FRD、超结MOSFET、高压平面MOSFET等全系列功率产品，满足高可靠性、高效率电源模块的设计需求。

同时，公司还可配套提供电源管理芯片、存储器芯片、数字隔离器、运算放大器与比较器等系列产品，助力客户实现系统级优化。

以直流电源模块三相 Vienna +全桥 LLC 拓扑为例 提供主要功率器件产品选型建议 请参考。

图5 直流电源模块三相 Vienna +全桥 LLC 拓扑

表1直流充电桩产品选型

上海贝岭坚持以技术创新为驱动，以客户需求为导向，致力于为电力电子行业等应用提供高性能、高可靠性的集成电路产品与一站式解决方案，助力客户提升产品竞争力，共同推动新能源与功率电子产业的持续发展。