MOSFET

以碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体器件应用越来越广泛，成为高压、大功率应用（如电动汽车、可再生能源并网、工业驱动等）的核心器件。碳化硅MOSFET凭借低导通电阻、高开关频率和优异的耐高温性能，能够显著减小系统尺寸、重量并提升整体效率。 然而，碳化硅MOSFET高频开关的特性是一把双刃剑。极高的电压变化率（dv/dt，能够比较轻易的超过10kV/μs，甚至可达50kV/μs）和电流变化率（di/dt）会与电路中的寄生电容和寄生电感相互作用，引发一系列问题，如电压过冲、振荡...