不同

Ⅲ族氮化物半导体是紫外至可见光发光器件的关键材料。传统c面取向材料因极化电场导致量子限制斯塔克效应，降低发光效率。采用半极性（如m面）生长可有效抑制该效应，尤其(11-22)取向在实现高铟掺入InGaN量子阱方面优势显著。然而，半极性薄膜在异质外延中面临晶体质量差、应力各向异性等挑战。Flexfilm全光谱椭偏仪可以非接触对薄膜的厚度与折射率的高精度表征，广泛应用于薄膜材料、半导体和表面科学等领域。 本章采用MOCVD方法在m面蓝宝石衬底上生长了不同厚度的AlN和GaN薄膜，...